IntelliSuite
第一套商用微機電電腦輔助設計軟體，提供微機電元件設計、模擬與最佳化的解決方案
IntelliSuite具備卓越健全的模擬性能，友善的操作介面。設計方式並非由產品外型開始，而是由製程及機台的設定主導，藉此方式可建立高精確度的模型，並證實元件的外型及性能都是製作過程所導出。IntelliSuite亦可在實際製作前最佳化MEMS的設計，藉此減少產品原型發展的週期時間，降低產品原型之製造費用。IntelliSuite平台結合了製程樣板、材料資料庫、光罩設計及元件分析等功能，提供設計團隊一個高良率的元件發展製作的環境。 其包含了下列之模組:

RECEPE 乾蝕刻模組:

模擬RIE/ICP（Bosch Process）製程，清晰反映加工工藝如何影響產品成型。


  • 可調節側邊的圓齒、粗糙度及周期
  • RIE和DRIE的lag效應
  • 模擬最終實體形貌、側面角度
  • 考慮光罩影響
  • 為特定截面創建製程參數可調整的結構
  • 支援Footing效應模擬
  • 支援製程參數計算


MEMaterial材料數據庫:

最全面的薄膜材料數據庫和製程優化工具，提供製程參數和 device 特性間的重要聯系。


  • 100多種基於真實製程過程得到的MEMS常用薄膜材料屬性，使模擬結果更加精確
  • 允許用戶自行增加自定義材料
  • 通過IntelliFab模組直接將材料屬性輸出到TEM分析模組
  • 最佳化製程


IntelliFab 製程模擬:

結合材料、布局與製程，建構device的三維虛擬模型，並可輸出到TEM模組進行分析。


  • 完整的MEMS製程流程，包括沈積、蝕刻、接合、摻雜和電鍍等製程。使用者也可以增加新的製程
  • 支援標準製程，如MUMPS, SCREAM, SUMMIT, LIGA, Bosh Surface Micromachining等。使用者可以創建自有製程模組
  • 自動輸出材料參數、device結構
  • 與MEMaterial模組結合，表現材料屬性和製程對device的影響，實現更精確的多物理場模擬


IntelliEtch 高級刻蝕模組:

原子級乾濕蝕刻模擬工具。


  • 基於原子模型的精確濕蝕刻製程模擬
  • 可定義和切割任意高指數晶面
  • 精確描述腐蝕表面形貌
  • 整合DRIE和多次光罩複合製程功能
  • 完整的刻蝕製程數據庫
  • 相容 IntelliMask 布局檔和Bmp光罩檔
  • 可輸出FEM網格資料
  • 可透過GPU加快運算速度


AnisE 濕蝕刻模組:

進階基於自動控制的單元蝕刻模擬技術能夠得到精確的<100>、<110>單晶矽晶片KOH和TMAH各向異性蝕刻模擬結果，還可以用於複雜布局及長時間蝕刻 。


  • 晶片的頂部、底部和雙面蝕刻
  • 多重截止層和單一晶片上不同光罩的多次蝕刻
  • 模擬未對齊光罩的影響及補償技術
  • 預測蝕刻劑溫度、濃度及蝕刻時間對device外形的影響
  • TMAH和KOH蝕刻速率數據庫，使用者也可以自己定義蝕刻速率
  • 測定耦合各向異性蝕刻情況下垂直蝕刻的影響
  • 三維圖形和橫截面可視
  • 測量蝕刻後晶片任意兩點間的距離和角度


Hexpresso:

Hexpresso是一個綜合網格劃分工具。





3D Builder 三維結構建模:

互動式編輯 device 三維結構的強大工具 。


  • 直角坐標和極坐標格點輔助建構device的最佳化模型
  • 對齊網格或對齊點（包括中點、交點和分割點等）
  • 輸入布局圖檔（GDS、DXF或MSK格式）最佳化模型
  • 對指定部分進行網格細分，如蛛網式、拉鏈式和散發式等
  • 相容ANSYS、ABAQUS、PATRAN、I-DEAS格式
  • 能求解大規模矩陣
  • 方便地修改結構厚度和間隙
  • 自動驗證網格質量與正確性
  • 由二維布局檔直接生成模型並劃分成六面體網格


Blueprint 布局編輯模組:

互動式編輯 device 三維結構的強大工具 。


  • 支援多層布局編輯，CELL層狀結構，能夠繪制橢圓、弧形、不規則曲線和正弦曲線等複雜圖形，自動生成最佳的devicee結構布局
  • 支援對布局進行各種布林操作，具備智能化繪圖功能，可以方便地創建複雜的布局結構
  • 提供針對布局的DRC（Design Rule Check）功能，最佳化系統設計，適合於DFM（Design For Manufacture）。工業界標準設計流程，如SUMMIT、MUMPS、SCREAM等規則檢查檔
  • 使用者可以自行設計規則檢查檔
  • 支援製程過程的預覽，使用者可以在構建布局的過程中查看製程流程，保證布局符合製程要求
  • 可透過script創建複雜布局，通過參數script編輯改變device參數，快速、方便地修改device結構，大大縮短設計時間
  • 包含各類常見MEMS device布局script數據庫，如各種MEMS感測器、MEMS執行器、MEMS封裝、測試和壓力計等
  • 提供尺寸測量工具，可以很方便地對布局進行標註
  • 相容業界主流文件格式GDSII、MSK、DXF等


MicroFluidics:

分析微流體，BioMEMS領域微觀現象的模組。


  • 微通道流動
  • 電驅動流（電滲、電泳）
  • 介電泳（雙向電泳）
  • 電場中離子驅動流
  • 電潤濕（電力場液滴表面張力驅動模擬）、自由表面流動
  • 定義滑動邊界條件，可模擬塞狀流
  • 電場作用下酸、堿以及弱電解質的混合、分離流動
  • 對流換熱效應
  • 使用分塊貼體坐標，能精確描述複雜幾何模型，解決移動邊界問題


ElectroMagnetic:

三維全波電磁場分析模組。


  • MEMS高頻分析
  • 電驅動流（電滲、電泳）
  • 真實形變結構分析
  • 採用國際流行的有限元素分析求解器
  • 自動空氣填充
  • 功能強大的自適應四面體劃分
  • 豐富的電磁材料庫
  • 多種矩陣方程求解器可供選擇，包括CG和GMRES
  • 支持多核並行計算
  • S參數的提取
  • 阻抗矩陣的提取
  • 電場、磁場的三維顯示
  • Smith圖
  • 支持其他相關工業格式 (比如ASCII格式)
  • 數據格式與IntelliSuite其他模組相容


TEM 熱-電-機械耦合分析模組:

可進行靜態、動態、瞬態和頻域等不同類型下熱、靜電、機械、熱-機-電耦合、流-固耦合分析。


  • 定義應力梯度，在回旋裝置中加入柯氏力
  • 變化的FEA問題，獨特的EFM功能
  • 有限元素、邊界元素求解器
  • 高精度靜電驅動裝置模型
  • 相容ANSYS,PATRAN,IDEAS
  • 使用IntelliFab模塊生成有限元素模型或者用3DBuilder生成元件三維模型
  • 計入熱導率、電阻率、熱膨脹系數、密度與溫度的關系
  • 接觸分析、壓電、壓阻和封裝分析
  • 精確的機電耦合動態分析。實現基於真實三維結構的動態機電耦合模擬
  • 壓電分析功能。在電壓負載外計入電荷密度, 可研究壓電結構的開路性能。FBAR/SAW/BAW設計者能夠通過該模組快速地計算串聯和並聯諧振，進而計算耦合因子
  • 壓電瞬態、動態模擬包含瞬態電壓差分輸入、瞬態電荷密度輸入及Squeeze Film的影響
  • 指定模式的特徵頻率分析
  • 完整有限元素模型能通過一種降階方法得到一個簡化模型，該模型能用於系統級分析。此降階方法基於Arnoldi降階方法，拉格朗日力學 (Lagrangian Mechanics) 和模式疊加得到
  • Macro 模型特性萃取。自動生成N自由度的系統模型，完整記錄非線性動態行為
  • 創建用於電子學的剛體模型，或包含二階效應(寄生效應,非線性形變,溫度效應以及封裝效應)的高階模型，用於設計補償型電器元件
  • 提供32、64位求解器，支持SMP多核並行計算